Des produits

DESCRIPTION

Informations de base

Modèle NON.	FW-CRYSTAL
Technologie de fabrication	Semi-conducteur optoélectronique
Matériel	Semi-conducteur composé
Taper	Semi-conducteur de type N
Emballer	CMS
Application	Télévision
Marque	Finewin
Matériaux	Nitrure de gallium
Épaisseur	3-4um ou 20um
Taille	2 pouces ou 4 pouces
Forfait transport	Boîte
spécification	2 POUCES
Marque déposée	FineWin
Origine	Ville de Jiaozuo Province du Henan
Capacité de production	1000 pièces/mois

Description du produit

Plaquettes GaN GaN
1. Qu'est-ce que les modèles
Nous utilisons le terme "modèle" pour décrire nos produits car ils sont différents des substrats. Plus précisément, un gabarit est un substrat composite ou technique, où une ou plusieurs couches sont ajoutées au substrat d'origine.

2.Demande

LED bleue et blanche pour l'éclairage des pièces, les affichages et l'utilisation générale

Dispositifs de commutation de puissance GaN

3.Produit disponible

Modèles GaN de 2" à 4" sur FSS et PSS
Gabarits GaN épais (t=3~20µm)
Modèle GaN avec couche de type n hautement dopée (n=<1e19/cm³)
Des modèles de type N (non dopé), Ntype (dopé Si) et Ptype (dopé Mg) sont disponibles
Modèles de GaN sur les substrats de saphir et les substrats de silicium

4. Caractéristiques

XRD-FWHM	002	102
3-4µm GaN/Saphir	200-300	250-450

Densité de dislocation : 3,5E+08 cm-2

 

5. Spécification
Spécification 2 pouces

Article	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dimensions	Ô 50,8 mm ± 1 mm
Épaisseur	350 ± 25 µm
Surface utile	> 90%
Orientation	Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35°± 0,15°
Orientation Appartement	(1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm
Appartement d'orientation secondaire	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
Variation d'épaisseur totale	≤ 15 µm
ARC	≤ 20 µm
Type de conduction	Type N (Non dopé)	Type N (dopé au Ge)	Semi-isolant (dopé Fe)
Résistivité (300K)	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
Densité de luxation	1~9x105cm-2	5x105cm-2 ~3x106cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106cm-2		1~3x106cm-2
Polissage	Surface avant : Ra < 0,2 nm. Epi-ready poli Surface arrière : sol fin
Emballer	Conditionné en salle blanche de classe 100, en conteneur mono wafer, sous atmosphère d'azote.

Spécification 4 pouces

Article	GaN-TCU-C100	GaN-TCN-C100
Dimensions	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Épaisseur	4 mètres, 20 mètres
Orientation	Plan C (0001) ± 0,5°
Type de conduction	Type N (Non dopé)	Type N (dopé Si)
Résistivité 300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm
Concentration de transporteur	< 5x1017 cm-3	> 1x1018 cm-3
Mobilité	~ 300cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
Densité de luxation	Moins de 5x108 cm-2
Structure du substrat	GaN sur Saphir (Standard : SSP Option : DSP)
Surface utile	> 90%
Emballer	Conditionné en salle blanche de classe 100, en cassettes de 25pcs ou en conteneurs mono wafer, sous atmosphère d'azote.

6. Photos du produit