Substrat Si poli double face personnalisé de plaquette de silicium 2' 3' 4' 6'

Substrat de plaquette Sic poli double face personnalisé pour plaquette de silicium 2' 3' 4' 6'

DESCRIPTION

Informations de base

Modèle NON.	FW-CRYSTAL
Technologie de fabrication	Semi-conducteur optoélectronique
Matériel	Semi-conducteur composé
Taper	Semi-conducteur intrinsèque
Emballer	CMS
Traitement de signal	Composite numérique analogique et fonction
Application	DIRIGÉ
Méthode de croissance	CZ et Fz
Orientation	111 ou 100
Résistivité	0,0005 à 150
Surface	Double face polie ou simple face polie
Dopant	Type N et type P
Particules	<30 à 0.3um
Arc	< 30 Um
TTV	<15 Um
Forfait transport	Boîte
Origine	Jiaozuo Henan
Capacité de production	100, 000PCS/mois

Description du produit

Substrat 2' 3' 4' 6' de gaufrette de Sic poli par côté fait sur commande de gaufrette de silicium

1. qu'est-ce que les plaquettes de silicium et son application :
Une plaquette de silicium est un matériau essentiel à la fabrication de semi-conducteurs, que l'on retrouve dans toutes sortes d'appareils électroniques qui enrichissent nos vies.

La plaquette de silicium est le matériau le plus courant et largement utilisé pour une variété d'industries de haute technologie, y compris les circuits intégrés, les détecteurs ou les capteurs, la fabrication de MEMS, les composants optoélectroniques et les cellules solaires.

La plaquette de silicium est un disque rond très fin découpé dans du silicium de haute pureté. Un lingot de silicium rond est tranché à des épaisseurs d'environ 1 mm. Les surfaces du disque résultant sont soigneusement polies, puis elles sont nettoyées, ce qui donne la plaquette terminée. Les tranches de silicium sont fabriquées à partir de silicium de haute pureté et constituent le matériau des dispositifs à semi-conducteurs. Ces plaquettes peuvent également être fabriquées avec une encoche SEMI ou un ou deux plats SEMI.

Image du produit

Silicon Wafer Custom Double Side Polished Si Substrate 2‘ 3’ 4‘ 6’

2. Fabrication d'une plaquette de silicium
Cultiver unlingot de silicium peut prendre entre une semaine et un mois, en fonction de nombreux facteurs, notamment la taille, la qualité et les spécifications. Plus de 75% de toutes les tranches de silicium monocristallin se développent via la méthode Czochralski (CZ).

Silicon Wafer Custom Double Side Polished Si Substrate 2‘ 3’ 4‘ 6’

3.Équipement que nous utilisons

Silicon Wafer Custom Double Side Polished Si Substrate 2‘ 3’ 4‘ 6’

4.Spcifications (produits connexes que nous pouvons fournir)

Méthode de croissance	CZ ou FZ
Diamètre	1 à 8 pouces
Finir	Comme coupé, rodé, gravé, SSP, DSP
Orientation	(100) (111) (110)
Taper	N ou P
Résistivité	CZ : De 0,0005 à 150 Ωcm FZ : jusqu'à 10 kΩcm